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VS-1EFH02-M3数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

VS-1EFH02-M3

参数属性

VS-1EFH02-M3 封装/外壳为DO-219AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMF

功能描述

Hyperfast Rectifier, 1 A FRED Pt®

封装外壳

DO-219AB

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-9 9:07:00

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VS-1EFH02-M3规格书详情

特性 Features

Hyperfast recovery time, reduced Qrr, and soft recovery
175 °C maximum operating junction temperature
Specified for output and snubber operation

应用 Application

State of the art hyperfast recovery rectifiers specifically designed with optimized performance of forward voltage drop and hyperfast recovery time.
The planar structure and the platinum doped life time control guarantee the best overall performance, ruggedness, and reliability characteristics.
These devices are intended for use in snubber, boost, lighting, as high frequency rectifiers, and freewheeling diodes.

技术参数

  • 产品编号:

    VS-1EFH02-M3/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    FRED Pt®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-219AB

  • 供应商器件封装:

    DO-219AB(SMF)

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 1A SMF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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