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VS-10UT10	文件：131.32 Kbytes Page：7 Pages	High Performance Generation 5.0 Schottky Rectifier, 10 A FEATURES •175°ChighperformanceSchottkydiode •Verylowforwardvoltagedrop •Extremelylowreverseleakage •OptimizedVFvs.IRtradeoffforhighefficiency •Increasedruggednessforreverseavalanche capability •RBSOAavailable •Negligibleswitchinglosses •Submicrontrench	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VS-10UT10_V01	文件：131.32 Kbytes Page：7 Pages	High Performance Generation 5.0 Schottky Rectifier, 10 A FEATURES •175°ChighperformanceSchottkydiode •Verylowforwardvoltagedrop •Extremelylowreverseleakage •OptimizedVFvs.IRtradeoffforhighefficiency •Increasedruggednessforreverseavalanche capability •RBSOAavailable •Negligibleswitchinglosses •Submicrontrench	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
10UT10	文件：133.56 Kbytes Page：7 Pages	HighPerformanceGeneration5.0SchottkyRectifier,10A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
10UT10	文件：152.87 Kbytes Page：8 Pages	HighPerformanceGeneration5.0SchottkyRectifier,10A FEATURES •175°ChighperformanceSchottkydiode •Verylowforwardvoltagedrop •Extremelylowreverseleakage •OptimizedVFvs.IRtradeoffforhighefficiency •Increasedruggednessforreverseavalanchecapability •RBSOAavailable •Negligibleswitchinglosses •Submicrontrencht	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
10UT10FNTR	文件：152.87 Kbytes Page：8 Pages	HighPerformanceGeneration5.0SchottkyRectifier,10A FEATURES •175°ChighperformanceSchottkydiode •Verylowforwardvoltagedrop •Extremelylowreverseleakage •OptimizedVFvs.IRtradeoffforhighefficiency •Increasedruggednessforreverseavalanchecapability •RBSOAavailable •Negligibleswitchinglosses •Submicrontrencht	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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10UT10FNTRL	文件：133.56 Kbytes Page：7 Pages	HighPerformanceGeneration5.0SchottkyRectifier,10A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
10UT10FNTRL	文件：152.87 Kbytes Page：8 Pages	HighPerformanceGeneration5.0SchottkyRectifier,10A FEATURES •175°ChighperformanceSchottkydiode •Verylowforwardvoltagedrop •Extremelylowreverseleakage •OptimizedVFvs.IRtradeoffforhighefficiency •Increasedruggednessforreverseavalanchecapability •RBSOAavailable •Negligibleswitchinglosses •Submicrontrencht	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
10UT10FNTRR	文件：152.87 Kbytes Page：8 Pages	HighPerformanceGeneration5.0SchottkyRectifier,10A FEATURES •175°ChighperformanceSchottkydiode •Verylowforwardvoltagedrop •Extremelylowreverseleakage •OptimizedVFvs.IRtradeoffforhighefficiency •Increasedruggednessforreverseavalanchecapability •RBSOAavailable •Negligibleswitchinglosses •Submicrontrencht	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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