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VS-10ETS08FP-M3中文资料PDF规格书

VS-10ETS08FP-M3
厂商型号

VS-10ETS08FP-M3

参数属性

VS-10ETS08FP-M3 封装/外壳为TO-220-2 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 800V 10A TO220-2

功能描述

High Voltage, Input Rectifier Diode, 10 A

文件大小

150.07 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-6 18:27:00

VS-10ETS08FP-M3规格书详情

FEATURES

• Very low forward voltage drop

• 150 °C max. operating junction temperature

• Glass passivated pellet chip junction

• Designed and qualified according to

JEDEC®-JESD 47

• Fully isolated package (VINS = 2500 VRMS)

• UL pending

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

• Input rectification

• Vishay Semiconductors switches and output rectifiers

which are available in identical package outlines

DESCRIPTION

High voltage rectifiers optimized for very low forward

voltage drop with moderate leakage.

These devices are intended for use in main rectification

(single or three phase bridge).

产品属性

  • 产品编号:

    VS-10ETS08FP-M3

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220-2 整包

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 800V 10A TO220-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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