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VS-10ETS08-M3

High Voltage, Input Rectifier Diode, 10 A

Very low forward voltage drop\n150 °C max. operating junction temperature\nGlass passivated pellet chip junction;

Vishay

威世

VS-10ETS08-M3

High Voltage, Input Rectifier Diode, 10 A

文件:169.48 Kbytes 页数:6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

VS-10ETS08-M3

Package:TO-220-2;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

10ETS08-M3

High Voltage Input Rectifier Diode

FEATURES · Glass Passivated Pellet Chip Junction · Low Forward Voltage Drop · 150℃ Max. Operating Junction Temperature APPLICATIONS · IEV/HEV Battery Chargers · Input Rectification · Main Rectification (Single or Three Phase Bridge)

文件:280.77 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

产品属性

  • 产品编号:

    VS-10ETS08-M3

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2

  • 供应商器件封装:

    TO-220AC

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多VS-10ETS08-M3供应商 更新时间2025-12-9 11:01:00