VS-10ETF10FP-M3数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

厂商型号	VS-10ETF10FP-M3
参数属性	VS-10ETF10FP-M3 封装/外壳为TO-220-2 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220FP
功能描述	Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A
封装外壳	TO-220-2 整包
制造商	Vishay Vishay Siliconix
中文名称	威世科技威世科技半导体
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-6 23:00:00
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VS-10ETF10FP-M3规格书详情

特性 Features

Glass passivated pellet chip junction
150 °C max. operation junction temperature
Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47

应用 Application

These devices are intended for use in output rectification and freewheeling in inverters, choppers and converters as well as in input rectification where severe restrictions on conducted EMI should be met.

技术参数

产品编号：
VS-10ETF10FP-M3
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
10A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2 整包
供应商器件封装：
TO-220-2 整包
工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220FP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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