VRF151G分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
VRF151G |
| 参数属性 | VRF151G 封装/外壳为4-SMD；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208 |
| 功能描述 | RF POWER VERTICAL MOSFET |
| 封装外壳 | 4-SMD |
| 文件大小 |
114.48 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | MICROSEMI |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-10 11:10:00 |
| 人工找货 | VRF151G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VRF151G规格书详情
RF POWER VERTICAL MOSFET
The VRF151G is designed for broadband commercial and military applications at frequencies to 175MHz. The high power, high gain, and broadband perfor mance of this device make possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands.
FEATURES
• Improved Ruggedness V(BR)DSS= 170V
• 300W with 16dB Typical Gain @ 175MHz, 50V
• Excellent Stability & Low IMD
• Common Source Configuration
• RoHS Compliant
• 5:1 Load VSWR Capability at Specified Operating Conditions
• Nitride Passivated
• Refractory Gold Metallization
• High Voltage Replacement for MRF151G
产品属性
- 产品编号：
VRF151G
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
2 N 沟道（双）共源
- 频率：
175MHz
- 增益：
16dB
- 额定电流（安培）：
1mA
- 功率 - 输出：
300W
- 封装/外壳：
4-SMD
- 供应商器件封装：
M208
- 描述：
MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
MICROSEMI |
25+23+ |
41447 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | |||
MSC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
MSC |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
2450+ |
TO-59 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
22+ |
M208 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
FRESSCAL |
24+ |
SMD |
12 |
询价 | |||
MICROSEMI |
3200 |
原装长期供货! |
询价 | ||||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
98 |
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