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VP2110K1-G	文件：512.809 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET GeneralDescription TheSupertexVP2110isanenhancement-mode(normallyoff)transistorthatutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistors,andthehi	SUTEX Supertex, Inc
VP2110K1-G	文件：761.51 Kbytes Page：14 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
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详细参数

型号：
VP2110K1-G
功能描述：
MOSFET 100V 12Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多VP2110K1-G供应商更新时间2024-4-25 11:24:00

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