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VNV35NV04TR-E集成电路（IC）的配电开关负载驱动器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
VNV35NV04TR-E |
| 参数属性 | VNV35NV04TR-E 封装/外壳为PowerSO-10 裸露底部焊盘；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的配电开关负载驱动器；产品描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10 |
| 功能描述 | OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET |
| 封装外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 文件大小 |
561.42 Kbytes |
| 页面数量 |
27 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 | STMICROELECTRONICS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | VNV35NV04TR-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VNV35NV04TR-E规格书详情
描述 Description
The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics® VIPower® M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications.
Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
特性 Features
• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
• Compatible with standard Power MOSFET
产品属性
更多- 产品编号：
VNV35NV04TR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
- 系列：
OMNIFET II™, VIPower™
- 包装：
卷带（TR）
- 开关类型：
通用
- 输出数：
1
- 比率 - 输入：
1：1
- 输出配置：
低端
- 输出类型：
N 通道
- 接口：
开/关
- 电压 - 负载：
36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
- 电流 - 输出（最大值）：
30A
- 导通电阻（典型值）：
10 毫欧（最大）
- 输入类型：
非反相
- 故障保护：
限流（固定），超温，过压
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
10-PowerSO
- 封装/外壳：
PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST |
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na |
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ST |
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ST |
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STM |
24+ |
80000 |
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