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|---|---|---|---|---|
Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNS3NV04D is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETS from DC up to 50KHz applications. Built in ther 文件：241.6 Kbytes 页数：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit 文件：418.58 Kbytes 页数：21 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：493.65 Kbytes 页数：26 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
产品属性
- 产品编号：
VNS3NV04TR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
- 系列：
OMNIFET II™, VIPower™
- 包装：
管件
- 开关类型：
通用
- 输出数：
1
- 比率 - 输入：
1：1
- 输出配置：
低端
- 输出类型：
N 通道
- 接口：
开/关
- 电压 - 负载：
36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
- 电流 - 输出（最大值）：
3.5A
- 导通电阻（典型值）：
120 毫欧（最大）
- 输入类型：
非反相
- 故障保护：
限流（固定），超温，过压
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
SOP8 |
32360 |
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ST/意法 |
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