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VNQ830M	文件：315.97 Kbytes Page：20 Pages	QUADCHANNELHIGHSIDEDRIVER DESCRIPTION TheVNQ830MisaquadHSDformedbyassemblingtwoVND830MchipsinthesameSO-28package.TheVND830Misamonolithicdevicemadebyusing\|STMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology.TheVNQ830Misintendedfordrivinganytypeofmultipleloadswithonesideconnectedtoground.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
VNQ830M	文件：211.2 Kbytes Page：21 Pages	QUADCHANNELHIGHSIDEDRIVER	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
VNQ830M-E	文件：234.12 Kbytes Page：21 Pages	QUADCHANNELHIGHSIDEDRIVER	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
VNQ830P-E	文件：406.6 Kbytes Page：28 Pages	Quadchannelhigh-sidedriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
VNQ830PEP-E	文件：411.79 Kbytes Page：27 Pages	Quadchannelhighsidedriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
VNQ830PEPTR-E	文件：411.79 Kbytes Page：27 Pages	Quadchannelhighsidedriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
VSC830	文件：182.89 Kbytes Page：18 Pages	2.7Gb/sAsynchronousDual2x2CrosspointSwitch GeneralDescription TheVSC830isamonolithicdual2x2asynchronouscrosspointswitch,designedforcriticalsignalpathcontrolandbufferingapplications,suchasloop-back,protectionswitching,andmulti-channelbackplanedriver/receivers.Signalpathdelayistightlymatchedbetweeneachou	VITESSE Vitesse Semiconductor Corporation	VITESSE
VSC830QZ	文件：182.89 Kbytes Page：18 Pages	2.7Gb/sAsynchronousDual2x2CrosspointSwitch GeneralDescription TheVSC830isamonolithicdual2x2asynchronouscrosspointswitch,designedforcriticalsignalpathcontrolandbufferingapplications,suchasloop-back,protectionswitching,andmulti-channelbackplanedriver/receivers.Signalpathdelayistightlymatchedbetweeneachou	VITESSE Vitesse Semiconductor Corporation	VITESSE
WFD830	文件：592.88 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFD830B	文件：434.55 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWinsemi’sadvancedplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,haveahighruggedavalanchecharacteristics.Thisdevicesisspeciallywellsuitedforhighefficiency	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

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产品属性

产品编号：
VND830LSPTR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
VIPower™
包装：
卷带（TR）
开关类型：
通用
输出数：
2
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
高端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
5.5V ~ 36V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
18A
导通电阻（典型值）：
60 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
特性：
带有自动重启功能
故障保护：
限流（固定），开路负载检测，超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
10-PowerSO
封装/外壳：
PowerSO-10 裸露底部焊盘
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VND830LSPTR-E供应商更新时间2025-7-26 15:00:00

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