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VND810PEPTR-E中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

VND810PEPTR-E
厂商型号

VND810PEPTR-E

功能描述

DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER

文件大小

533.73 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-5 20:00:00

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VND810PEPTR-E规格书详情

DESCRIPTION

The VND810PEP-E is a monolithic device designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for driving any kind of load with one side connected to ground.

General Features

■ CMOS COMPATIBLE INPUTS

■ OPEN DRAIN STATUS OUTPUTS

■ ON STATE OPEN LOAD DETECTION

■ OFF STATE OPEN LOAD DETECTION

■ SHORTED LOAD PROTECTION

■ UNDERVOLTAGE AND OVERVOLTAGE SHUTDOWN

■ PROTECTION AGAINST LOSS OF GROUND

■ VERY LOW STAND-BY CURRENT

■ REVERSE BATTERY PROTECTION (**)

■ IN COMPLIANCE WITH THE 2002/95/EC EUROPEAN DIRECTIVE

产品属性

  • 型号:

    VND810PEPTR-E

  • 功能描述:

    功率驱动器IC DOUBLE Ch Hi SIDE DRIVER

  • RoHS:

  • 制造商:

    Micrel

  • 产品:

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型:

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大:

    30 V

  • 电源电压-最小:

    2.75 V

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-8

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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