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VND1NV04中文资料OMNIFET II :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET数据手册ST规格书

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厂商型号

VND1NV04

参数属性

VND1NV04 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的配电开关负载驱动器;产品描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK

功能描述

OMNIFET II :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-27 13:44:00

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VND1NV04规格书详情

描述 Description

The VND1NV04, VNN1NV04, VNS1NV04 are monolithic devices designed in STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

特性 Features

• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
• Compatible with standard Power MOSFET

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :VND1NV04

  • 生产厂家

    :ST

  • Technology

    :M0-3

  • RDS(on)_typ(mΩ)

    :250

  • General Description

    :OMNIFET II :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

  • Marketing Status

    :Active

  • Package

    :IPAK

  • RoHS Compliance Grade

    :Ecopack1

  • Clamp Voltage_typ(V)

    :45

  • Drain Current Limit_typ(A)

    :2.6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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