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VN3205N3-GP013	文件：728.49 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedancean	SUTEX Supertex, Inc

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功能描述

制造商&上传企业

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VN3205N3-GP013

文件：728.49 Kbytes

Page：6 Pages

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedancean

SUTEX

Supertex, Inc

详细参数

型号：
VN3205N3-GP013
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多VN3205N3-GP013供应商更新时间2024-4-27 16:16:00

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