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VMMK-1218-TR1G 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 AVAGO/安华高

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    VMMK-1218-TR1G

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    AVAGO/安华高

  • 库存数量:

    10000

  • 产品封装:

    SMD

  • 生产批号:

    21+

  • 库存类型:

    优势库存

  • 更新时间:

    2024-4-18 10:54:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:VMMK-1218-TR1G品牌:AVAGO

十年信誉,只做原装,有挂就有现货!

VMMK-1218-TR1G是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商AVAGO/Broadcom Limited生产封装SMD/0402(1005 公制)的VMMK-1218-TR1G晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

  • 芯片型号:

    VMMK-1218-TR1G

  • 规格书:

    下载

  • 企业简称:

    AVAGO【安华高】详情

  • 厂商全称:

    Avago

  • 中文名称:

    安华高科技

  • 内容页数:

    12 页

  • 文件大小:

    837.68 kb

  • 资料说明:

    0.5 to 18 GHz Low Noise E-PHEMT in a Wafer Scale Package

产品参考属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    VMMK-1218-TR1G

  • 制造商:

    Broadcom Limited

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    E-pHEMT

  • 频率:

    10GHz

  • 增益:

    9dB

  • 额定电流(安培):

    100mA

  • 噪声系数:

    0.81dB

  • 功率 - 输出:

    12dBm

  • 封装/外壳:

    0402(1005 公制)

  • 供应商器件封装:

    0402

  • 描述:

    FET RF 5V 10GHZ 0402

供应商

  • 企业:

    深圳市凌旭科技有限公司

  • 商铺:

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