VMM85-02F中文资料Dual Power HiPerFET-TM Module数据手册Littelfuse规格书
技术参数
- 型号:
VMM85-02F
- 功能描述:
MOSFET 85 Amps 200V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
19+/20+ |
Y4-M6 |
1000 |
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IXYS |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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IXYS |
24+ |
模块 |
6868 |
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IXYS |
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模块 |
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IXYS |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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IXYS |
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IXYS |
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Y3Li |
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IXYS |
1931+ |
N/A |
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