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VIT30L60C-M3SLASH4W	文件：142.69 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 文件：142.69 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多VIT30L60C-M3SLASH4W供应商更新时间2021-9-14 10:50:00