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VIT2060C-M3-4W	文件：130.639 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Halogen-free a 文件：130.639 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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VFT2060C-M3-4W	文件：79.1 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.1 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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更多VIT2060C-M3-4W供应商更新时间2021-9-14 10:50:00