Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A

• Trench MOS Schottky technology Gen 2 • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and

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肖特基二极管与整流器 10A 200V Trench Stky Rectifier

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Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 200V TO-262AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division