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VI40150C-E3 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
VI40150C-E3 | Low forward voltage drop, low power losses | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier5 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO262 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
详细参数
- 型号：
VI40150C-E3
- 功能描述：
肖特基二极管与整流器 40 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS
- RoHS：
否
- 制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
- 产品：
Schottky Diodes
- 峰值反向电压：
2 V
- 正向连续电流：
50 mA
- 配置：
Crossover Quad
- 正向电压下降：
370 mV
- 最大功率耗散：
75 mW
- 工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
SOT-143
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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