VI30120C-E3SLASH4W中文资料威世科技数据手册PDF规格书

厂商型号	VI30120C-E3SLASH4W
功能描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
文件大小	168.11 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	Vishay Siliconix
企业简称	VISHAY【威世科技】
中文名称	威世科技半导体官网
原厂标识
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更新时间	2025-7-2 17:00:00
人工找货	VI30120C-E3SLASH4W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

•Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.

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