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VI20200G中文资料PDF规格书

VI20200G
厂商型号

VI20200G

参数属性

VI20200G 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO262

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

160.45 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-23 22:56:00

VI20200G规格书详情

Ultra Low VF = 0.62 V at IF = 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Low thermal resistance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

  For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

 

产品属性

  • 产品编号:

    VI20200G-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    TMBS®

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

  • 供应商器件封装:

    TO-262AA

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO262

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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