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VI20200C-E3SLASH4W中文资料威世科技数据手册PDF规格书

VI20200C-E3SLASH4W
厂商型号

VI20200C-E3SLASH4W

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A

文件大小

166.57 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-18 23:00:00

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VI20200C-E3SLASH4W规格书详情

Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Low thermal resistance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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NA/
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