Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VishayVishay Siliconix

威世科技

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

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Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division