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VG3617161ET-8

CMOS Synchronous Dynamic RAM

Description The VG3617161ET is CMOS Synchronous Dynamic RAM organized as 524,288-word X 16-bit X 2-bank. It is fabricated with an advanced submicron CMOS technology and designed to operate from a single 3.3V power supply. This SDRAM is delicately designed with performance concern for current high

文件:1.12489 Mbytes 页数:69 Pages

VMLVanguard International Semiconductor

世界先进世界先进集成电路股份有限公司

VG54123

FUDAN
SOP8

Fudan

上海复旦微

上传:深圳市冠亿通科技有限公司

VGT7737-6017

VLSI
PLCC

详细参数

  • 型号:

    VG3617161ET-8

  • 制造商:

    VML

  • 制造商全称:

    VML

  • 功能描述:

    CMOS Synchronous Dynamic RAM

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更多VG3617161ET-8供应商 更新时间2025-10-4 11:01:00