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VFT760_V01	文件：134.52 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：134.52 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
VT760_V01	文件：128.259 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：128.259 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

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更多VFT760_V01供应商更新时间2021-9-14 10:50:00