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VFT6045CBP_V01	文件：132.01 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay 文件：132.01 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
VT6045CBP_V01	文件：136.57 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay 文件：136.57 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

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更多VFT6045CBP_V01供应商更新时间2025-10-11 15:59:00