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VFT4060C-E3_V01

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

VT4060C-E3_V01

DualTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusei

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更多VFT4060C-E3_V01供应商 更新时间2024-9-21 15:37:00