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VFT4045C-M3_V01	文件：128.94 Kbytes Page：4 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：128.94 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VBT4045C-M3_V01	文件：102.87 Kbytes Page：4 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIO 文件：102.87 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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更多VFT4045C-M3_V01供应商更新时间2025-10-4 11:01:00