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VFT2045CBP-M3-4W	文件：81.72 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：81.72 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT2045CBP-M3-4W	文件：83.3 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：83.3 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT2045CBP-M3-4W	文件：131 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：131 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT2045CBP-M3-4W	文件：122.17 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay. 文件：122.17 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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更多VFT2045CBP-M3-4W供应商更新时间2025-10-7 13:01:00