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VFT2045BP_V01	文件：137.67 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：137.67 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT2045BP_V01	文件：109.22 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：109.22 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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更多VFT2045BP_V01供应商更新时间2025-10-8 16:06:00