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VFT1080S-M3-4W	文件：78.94 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.94 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VIT1080S-M3-4W	文件：130.57 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Halogen-free a 文件：130.57 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VT1080S-M3-4W	文件：130.57 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Halogen-free a 文件：130.57 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

更多VFT1080S-M3-4W供应商更新时间2025-12-16 10:01:00