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VFT1045	文件：79.64 Kbytes Page：4 Pages	Low Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT1045BP	文件：137.72 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT1045BP_V01	文件：137.72 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT1045CBP	文件：131.37 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT1045CBP_V01	文件：131.37 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT1045CBP-M3SLASH4W	文件：130.729 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT1045C-M3	文件：128.9 Kbytes Page：4 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT1045C-M3_V01	文件：128.9 Kbytes Page：4 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT1045-M3SLASH4W	文件：79.64 Kbytes Page：4 Pages	Low Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT1045BP	文件：84.38 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
VFT1045
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市达恩科技有限公司	VFT1045BP-M3/4W	Vishay	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价
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