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VFT10200C-E3中文资料Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
VFT10200C-E3 |
| 参数属性 | VFT10200C-E3 封装/外壳为TO-220-3 全封装，隔离接片；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE SCHOTTKY 10A 200V ITO220AB |
| 功能描述 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A |
| 封装外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
| 人工找货 | VFT10200C-E3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VFT10200C-E3规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.
技术参数
- 产品编号：
VFT10200C-E3/4W
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列：
TMBS®
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管配置：
1 对共阴极
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
5A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 全封装，隔离接片
- 供应商器件封装：
ITO-220AB
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 10A 200V ITO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
7249 |
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询价 | ||
VISHAY |
20+ |
TO220F-3 |
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VISHAY |
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TO220F-3 |
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VISHAY |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220F |
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原装正品真实现货杜绝虚假 |
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Siliconix/Vishay |
新 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220F |
47186 |
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VISHAY |
17+ |
TO220F-3 |
6200 |
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Vishay General Semiconductor - |
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TO-220-3 全封装 隔离接片 |
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