Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A

分立 Trench MOS Schottky t echnology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Trench MOS Schottky technology

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Package：TO-220-3 全封装，隔离接片；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 60A 120V ITO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Dual High Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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