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VF40100G	文件：130.15 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYP 文件：130.15 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G	文件：167.61 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 文件：167.61 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G_V01	文件：130.15 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYP 文件：130.15 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G-E3	文件：217.27 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：217.27 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G-E3	文件：161.52 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.52 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G-E3	文件：151.39 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：151.39 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G-E3/4W	文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G-E3/4W	文件：167.61 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 文件：167.61 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G-E3SLASH4W	文件：167.61 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 文件：167.61 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G-E3SLASH4W	文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
VF40100G
功能描述：
肖特基二极管与整流器 40 Amp 100 Volt Dual TrenchMOS
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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