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VF40100C_V01	文件：135.36 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max., 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICA 文件：135.36 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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更多VF40100C_V01供应商更新时间2025-10-11 15:14:00