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VF20120SG中文资料High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书

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厂商型号

VF20120SG

参数属性

VF20120SG 封装/外壳为TO-220-3 全封装,隔离接片;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

封装外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-28 22:59:00

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VF20120SG规格书详情

描述 Description

分立

特性 Features

Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation

应用 Application

For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.

技术参数

  • 产品编号:

    VF20120SG-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    TMBS®

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    20A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 全封装,隔离接片

  • 供应商器件封装:

    ITO-220AB

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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