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VF20120C-E3中文资料Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
VF20120C-E3 |
| 参数属性 | VF20120C-E3 封装/外壳为TO-220-3 全封装，隔离接片；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220 |
| 功能描述 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A |
| 封装外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-11 20:00:00 |
| 人工找货 | VF20120C-E3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VF20120C-E3规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.
技术参数
- 产品编号：
VF20120C-E3/4W
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列：
TMBS®
- 包装：
管件
- 二极管配置：
1 对共阴极
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
10A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 全封装，隔离接片
- 供应商器件封装：
ITO-220AB
- 描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
4250 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO220F-3 |
54648 |
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询价 | ||
VISHAY |
1521+ |
TO220 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220F-3 |
990000 |
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询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
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VISHAY |
23+ |
TO220-3 |
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VISHAY |
2016+ |
TO220-3 |
9000 |
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VISHAY |
2025+ |
TO220-3 |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-220-3 全封装 隔离接片 |
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询价 | ||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
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询价 |
