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VF10C30C	文件：271.7 Kbytes Page：2 Pages	10.0 Ampere Heatsink Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
F10C30	文件：58.56 Kbytes Page：2 Pages	HighSurgeCapacity	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
FS10C30CT	文件：297.75 Kbytes Page：2 Pages	10.0AmpereSurfaceMountDualCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
S10C30	文件：222.42 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(10A,30-60V) SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingan	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S10C30A	文件：222.42 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(10A,30-60V) SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingan	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S10C30C	文件：222.42 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(10A,30-60V) SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingan	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S10C30CE	文件：160.8 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheeling	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S10C30D	文件：222.42 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(10A,30-60V) SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingan	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S10C30PT	文件：68.08 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
SSR10C30	文件：142.86 Kbytes Page：2 Pages	10A/300VSchottkySiliconCarbide	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

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