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VF10150C-E3/4W	文件：168.07 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VF10150C-E3/4W	文件：168.31 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VF10150C-E3-4W	文件：161.64 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VF10150C-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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中天科工半导体（深圳）有限公司	VF10150C-E3/4W	Vishay General Semiconductor -	23+	TO-220-3 全封装,隔离接片	30000	二极管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	VF10150C-E3/4W	VISHAY/威世	20+	TO-220F	20000	原装正品真实现货杜绝虚假	询价
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司	VF10150C-E3/4W	VishaySemiconductorDiode	2019+	ITO-220AB	65500	原装正品货到付款,价格优势!	询价
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更多VF10150C-E3供应商更新时间2024-5-2 14:14:00