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VE1045C-E3	文件：133.33 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Schottky technology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VE1045C-E3_15	文件：112.23 Kbytes Page：4 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VE1045C-E3/45	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-220AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VBT1045C-E3	文件：113.98 Kbytes Page：4 Pages	DualLow-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VBT1045C-E3	文件：90.86 Kbytes Page：4 Pages	TrenchMOSSchottkytechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更多VE1045C-E3供应商更新时间2021-9-14 10:50:00