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VBT6045CBP-E3SLASH4W	文件：92.76 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A

•TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication

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High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

•TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,and TO-2

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