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VBT5202-M3	文件：153.47 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106(forTO-220AC,ITO-220AC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VBT5202-M3	文件：152.12 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VBT5202-M3	文件：141.4 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VBT5202-M3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 200V 5A TO263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VBT5202-M3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 200V 5A TO263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VFT5202-M3	文件：153.47 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106(forTO-220AC,ITO-220AC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT5202-M3	文件：152.12 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT5202-M3	文件：141.4 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT5202-M3	文件：152.12 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT5202-M3	文件：141.4 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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