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VBT5200分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

VBT5200

参数属性

VBT5200 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-263AB

功能描述

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文件大小

133.49 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-9 10:06:00

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VBT5200规格书详情

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AC, ITO-220AC and TO-262AA package)

• Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

   For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.

产品属性

  • 产品编号:

    VBT5200-E3/8W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    5A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AB(D²PAK)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-263AB

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