Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Vishay

威世

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5.0 A

分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5.0 A

分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

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Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 40A 45V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 40A 45V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 40A 45V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division