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VBT3080C-M3中文资料Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
VBT3080C-M3 |
| 参数属性 | VBT3080C-M3 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-263AB |
| 功能描述 | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-12 22:59:00 |
| 人工找货 | VBT3080C-M3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VBT3080C-M3规格书详情
描述 Description
分立
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters, and reverse battery protection.
技术参数
- 产品编号：
VBT3080C-M3/8W
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列：
TMBS®
- 包装：
管件
- 二极管配置：
1 对共阴极
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
15A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
TO-263AB（D²PAK）
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-263AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
24+ |
TO263AB |
7350 |
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询价 | ||
Vishay |
23+ |
二极管 |
5864 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-263 |
100500 |
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VISHAY |
23+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO263AB |
9000 |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
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询价 | ||
VISHAY |
25+ |
TO-263 |
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