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VBT3060G-E3/4W中文资料PDF规格书

VBT3060G-E3/4W
厂商型号

VBT3060G-E3/4W

参数属性

VBT3060G-E3/4W 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列;产品描述:DIODE SCHOTTKY 15A 60V TO-263AB

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

173.59 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-15 20:00:00

产品属性

  • 产品编号:

    VBT3060G-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    管件

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    15A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AB(D²PAK)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 15A 60V TO-263AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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