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VBT2080C-M3_V01

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIO

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VishayVishay Siliconix

威世科技

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更多VBT2080C-M3_V01供应商 更新时间2025-10-4 14:02:00