Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

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Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

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High efficiency operation

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Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

Vishay

威世

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5 A

分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

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TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

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Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 45V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 45V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division