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VBT1080C-M3_V01	文件：102.54 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIO 文件：102.54 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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更多VBT1080C-M3_V01供应商更新时间2025-10-4 10:05:00